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Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
El bolso
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 10 V
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-72
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 10V
Potencia - máximo:
300 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Con una frecuencia de corriente de 80 Hz
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
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-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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El Sr.:
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Envase / estuche:
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Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 10V
Potencia - máximo:
300 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Con una frecuencia de corriente de 80 Hz
NTE460
JFET P-Canal 20 V 300 mW a través del agujero TO-72

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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