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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Unidad de evaluación
Envase / estuche:
4-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
27 pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
175 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
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Tipo de FET:
P-canal
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30 V
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En bruto
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
27 pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
175 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Se aplican las siguientes condiciones:
JFET P-Canal 30 V 500 mW Montaje de superficie UA

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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