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2N4392 PBFREE
2N4392 PBFREE

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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de las que se trate se calculará en

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
1,8 W
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
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Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
1,8 W
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
2N4392 PBFREE
JFET N-Canal 40 V 1,8 W a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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