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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/431 Las fuerzas armadas
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 20 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de cálculo de la velocidad.
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
16pF @ 20V
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
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N-canal
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
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El Sr.:
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TO-206AA, metal TO-18-3 puede
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360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
16pF @ 20V
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
MX2N4093
JFET N-Canal 40 V 360 mW a través del agujero TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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