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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
750 mV @ 1 μA
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 135°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 cuerpo largo
Número del producto de base:
Las partidas 2N5460
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
750 mV @ 1 μA
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 135°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 cuerpo largo
Número del producto de base:
Las partidas 2N5460
2N5460G
JFET P-Canal 40 V 350 mW a través del agujero TO-92 (TO-226)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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