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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
Solid-state Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
-
Estado del producto:
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
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TO-18
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
2N4857
JFET 40 V 300 mW a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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