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MQ2N4859UB
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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión interna

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
En bruto
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/385: el uso de armas de fuego.
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N4859UB
JFET N-Canal 30 V 360 mW Montaje de superficie UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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