Detalles del producto
Pago y términos de envío
Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
Estado del producto: |
Actividad |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
30 V |
Tipo de montaje: |
A través del agujero |
paquete: |
Corte la cinta (los CT)
Cinta y caja (TB) |
Serie: |
- |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
El Sr.: |
en semi |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
1 V @ 10 nA |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-92-3 |
Envase / estuche: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas |
Temperatura de funcionamiento: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
- |
Potencia - máximo: |
350 mW |
Resistencia - RDS (encendido): |
Las demás partidas |
Número del producto de base: |
J176 |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
Estado del producto: |
Actividad |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
30 V |
Tipo de montaje: |
A través del agujero |
paquete: |
Corte la cinta (los CT)
Cinta y caja (TB) |
Serie: |
- |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
El Sr.: |
en semi |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
1 V @ 10 nA |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-92-3 |
Envase / estuche: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas |
Temperatura de funcionamiento: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
- |
Potencia - máximo: |
350 mW |
Resistencia - RDS (encendido): |
Las demás partidas |
Número del producto de base: |
J176 |