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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
El Sr.:
Solid-state Inc.
Potencia - máximo:
300 mW
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Categoría:
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Tipo de FET:
N-canal
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30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
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En bruto
Serie:
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Envase / estuche:
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El Sr.:
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300 mW
Paquete de dispositivos del proveedor:
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-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
2N4859
JFET N-Canal 30 V 300 mW a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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