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CMPFJ175 TR
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Detalles del producto

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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Número del producto de base:
CMPFJ175 y sus componentes
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Número del producto de base:
CMPFJ175 y sus componentes
CMPFJ175 TR
JFET P-Canal 30 V 350 mW Montaje de superficie SOT-23

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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