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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
225 mW
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
225 mW
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
JFET P-Canal 30 V 225 mW Montaje de superficie SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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