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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
El bolso
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 15 V
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6.5 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-106
Envase / estuche:
TO-106-3 con cúpula
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
El bolso
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 15 V
El Sr.:
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Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-106
Envase / estuche:
TO-106-3 con cúpula
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
NTE133
JFET N-Canal 25 V 300 mW a través del agujero TO-106

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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