Detalles del producto
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Descripción: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
Estado del producto: |
Actividad |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
30 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Serie: |
Militar, MIL-PRF-19500/295 Las fuerzas armadas |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1 mA @ 5 V |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
El número de |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
750 mV @ 1 μA |
Potencia - máximo: |
300 mW |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Temperatura de funcionamiento: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
10pF @ 5V |
Envase / estuche: |
3-SMD, sin plomo |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
Estado del producto: |
Actividad |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
30 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Serie: |
Militar, MIL-PRF-19500/295 Las fuerzas armadas |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1 mA @ 5 V |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
El número de |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
750 mV @ 1 μA |
Potencia - máximo: |
300 mW |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Temperatura de funcionamiento: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
10pF @ 5V |
Envase / estuche: |
3-SMD, sin plomo |