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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SMCP
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Potencia - máximo:
200 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
Las demás
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2SK3666
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SMCP
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Potencia - máximo:
200 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
Las demás
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2SK3666
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
2SK3666-4-TB-E. El número de los que se trate será el siguiente:
JFET N-Channel 30 V 10 mA 200 mW Montado en la superficie SMCP

Tags:

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