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Los Estados miembros deberán establecer un marco para la aplicación de las disposiciones del presente Reglamento.

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	P-canal
estado del producto:	No está disponible	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante	Paquete:	Cintas y cajas (TB)
Series:	-	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:	En el caso de las	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3	Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	-
Potencia - máximo:	350 mW	Resistencia - RDS (encendido):	125 ohmios
Número del producto de base:	J175 El tratamiento de las células

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	P-canal
estado del producto:	No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Paquete:	Cintas y cajas (TB)
Series:	-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:	En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	-
Potencia - máximo:	350 mW
Resistencia - RDS (encendido):	125 ohmios
Número del producto de base:	J175 El tratamiento de las células