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2SK715V
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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 5 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-SPA
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
El SC-72
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Número del producto de base:
2SK715
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 5 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
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Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
El SC-72
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Número del producto de base:
2SK715
2SK715V
JFET N-Canal 50 mA 300 mW a través del agujero 3-SPA

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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