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Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 μA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
0.7pF @ 10V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
3-XFDFN
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
Se trata de: TF414
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 μA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
0.7pF @ 10V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
3-XFDFN
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
Se trata de: TF414
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
JFET N-Canal 40 V 1 mA 100 mW Montaje de superficie SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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