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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8.2pF @ 0V
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Número del producto de base:
KSK30
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
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Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8.2pF @ 0V
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Número del producto de base:
KSK30
KSK30YTA
JFET N-Canal 50 V 100 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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