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Las condiciones de funcionamiento de las instalaciones deberán ser:
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Detalles del producto

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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en función de las emisione

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Número del producto de base:
FJZ594
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Número del producto de base:
FJZ594
Las condiciones de funcionamiento de las instalaciones deberán ser:
JFET N-canal 20 V 1 mA 100 mW Montado de superficie SOT-623F

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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