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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
625 mW
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Número del producto de base:
J113 Las sustancias
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
625 mW
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Número del producto de base:
J113 Las sustancias
Se aplicará el procedimiento siguiente:
JFET N-Canal 35 V 625 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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