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2N4416
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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de energía eléctrica de las instalacion

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de las aeronaves de pasajeros, el número de pasajero es el siguiente:
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-50 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 15V
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Número del producto de base:
2N4416
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
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-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
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3 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 15V
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Número del producto de base:
2N4416
2N4416
JFET Canal N 30 V 300 mW a través del agujero TO-206AF (TO-72)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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