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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
800 mV @ 4 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
El TIS75
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
800 mV @ 4 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
El TIS75
TIS75_J35Z
JFET N-Canal 30 V 350 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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