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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Se trata de un documento de identificación.

Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
Se trata de un documento de identificación.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
Se trata de un documento de identificación.
Se trata de un documento de identificación.
JFET N-Channel 30 V 350 mW Montaje de superficie SOT-23-3