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2SK596S-B. El número de los equipos de seguridad de los Estados miembros
2SK596S-B. El número de los equipos de seguridad de los Estados miembros

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Detalles del producto

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-SPA
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.1pF @ 5V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
El SC-72
Número del producto de base:
2SK596
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-SPA
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.1pF @ 5V
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
El SC-72
Número del producto de base:
2SK596
2SK596S-B. El número de los equipos de seguridad de los Estados miembros
JFET N-Canal 1 mA 100 mW a través del agujero 3-SPA

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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