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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	N-canal
Estado del producto:	Actividad	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:	-	Envase / estuche:	Pad expuesto 8-VFDFN
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	6 V @ 1 μA
Potencia - máximo:	350 mW	Dren actual (identificación) - máxima:	10 mA
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 135 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Resistencia - RDS (encendido):	38 ohmos	Paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (2x2)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	40 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	N-canal
Estado del producto:	Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:	-
Envase / estuche:	Pad expuesto 8-VFDFN
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	6 V @ 1 μA
Potencia - máximo:	350 mW
Dren actual (identificación) - máxima:	10 mA
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Resistencia - RDS (encendido):	38 ohmos
Paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (2x2)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	40 V

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JFET N-Canal 40 V 10 mA 350 mW Montado de superficie 8-DFN (2x2)

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