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175 DFN 8L ROHS
175 DFN 8L ROHS

175 DFN 8L ROHS

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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
174DFN
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-DFN (2x2)
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
Pad expuesto 8-VFDFN
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
174DFN
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
Pad expuesto 8-VFDFN
175 DFN 8L ROHS
JFET P-Canal 30 V 350 mW Montaje de superficie 8-DFN (2x2)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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