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Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 17096.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET P-CH 30V a 92

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
J175 El tratamiento de las células
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
J175 El tratamiento de las células
Resistencia - RDS (encendido):
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El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
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Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 17096.
JFET Canal P 30 V 350 mW a través del agujero TO-92

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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