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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.

Detalles del producto

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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Las condiciones de producción y de producción de los productos
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 15V
Potencia - máximo:
400 mW
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Las condiciones de producción y de producción de los productos
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 15V
Potencia - máximo:
400 mW
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.
JFET N-Canal 40 V 10 mA 400 mW a través del agujero TO-92