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Las condiciones de las condiciones de producción se especifican en el anexo I.
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Detalles del producto

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Las condiciones de los productos
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-78-6
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Envase / estuche:
El metal TO-78-6 puede
Categoría:
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Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Las condiciones de los productos
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-78-6
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Envase / estuche:
El metal TO-78-6 puede
Las condiciones de las condiciones de producción se especifican en el anexo I.
JFET 2 N-canal (doble) 25 V 500 mW a través del agujero TO-78-6

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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