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Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	Canal N 2 (dual)
estado del producto:	Actividad	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante	Paquete:	Las demás
Series:	Los demás:	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	10 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-71	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	300 mV @ 0,1 μA
Potencia - máximo:	400 mW	El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	25pF @ 10V
Envase / estuche:	El metal TO-71-6 puede

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	Canal N 2 (dual)
estado del producto:	Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Paquete:	Las demás
Series:	Los demás:
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	10 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-71
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	300 mV @ 0,1 μA
Potencia - máximo:	400 mW
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	25pF @ 10V
Envase / estuche:	El metal TO-71-6 puede

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JFET 2 canal N (doble) 40 V 400 mW a través del orificio TO-71

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Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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