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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: JFET Canal P 30V Bajo ruido

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un documento de identificación.
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
12pF @ 0V
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un documento de identificación.
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
12pF @ 0V
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
JFET P-Canal 350 mW Montaje de superficie SOT-23-3