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Descripción: JFET N-canal -40V bajo Ciss

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
la tira
Series:
El nombre de la entidad
Envase / estuche:
El SOT-23-3
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
700 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
la tira
Series:
El nombre de la entidad
Envase / estuche:
El SOT-23-3
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
700 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:
JFET N-Canal 350 mW Montado de superficie SOT-23-3