Detalles del producto
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Descripción: JFET canal P 40V bajo Ciss
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
la tira |
Series: |
SMP5460 |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
El Sr.: |
InterFET |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
2 V @ 1 μA |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
El SOT-23-3 |
Envase / estuche: |
El SOT-23-3 |
Potencia - máximo: |
350 mW |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
4pF @ 15V |
Resistencia - RDS (encendido): |
Las demás partidas |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): |
40 V |
Temperatura de funcionamiento: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET |
Tipo de FET: |
P-canal |
estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
la tira |
Series: |
SMP5460 |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
El Sr.: |
InterFET |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
2 V @ 1 μA |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
El SOT-23-3 |
Envase / estuche: |
El SOT-23-3 |
Potencia - máximo: |
350 mW |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
4pF @ 15V |
Resistencia - RDS (encendido): |
Las demás partidas |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): |
40 V |
Temperatura de funcionamiento: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |