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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
El número de la prueba es:
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.5pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
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Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.5pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Se aplicarán las siguientes medidas:
JFET N-Canal 25 V 350 mW Montaje de superficie SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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