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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de una serie de
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3pF @ 10V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
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Canal N 2 (dual)
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25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de una serie de
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3pF @ 10V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Se aplicarán las siguientes medidas:
JFET 2 canal N (doble) 25 V 500 mW Montado en superficie 8-SOIC

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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