 
          Detalles del producto
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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET | Tipo de FET: | Canal N 2 (dual) | estado del producto: | Actividad | Voltaje - avería (V (BR) GSS): | 25 V | Tipo de montaje: | Montura de la superficie | Paquete: | El tubo | Series: | Las condiciones de los productos | Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): | El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: | Paquete de dispositivos del proveedor: | 8-SOIC | Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: | 1 V @ 1 nA | Potencia - máximo: | 500 mW | El Sr.: | Sistemas integrados lineales, Inc. | Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 150 °C (TJ) | Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 5pF @ 10V | Envase / estuche: | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) | 
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET | 
| Tipo de FET: | Canal N 2 (dual) | 
| estado del producto: | Actividad | 
| Voltaje - avería (V (BR) GSS): | 25 V | 
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie | 
| Paquete: | El tubo | 
| Series: | Las condiciones de los productos | 
| Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): | El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: | 
| Paquete de dispositivos del proveedor: | 8-SOIC | 
| Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: | 1 V @ 1 nA | 
| Potencia - máximo: | 500 mW | 
| El Sr.: | Sistemas integrados lineales, Inc. | 
| Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 150 °C (TJ) | 
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 5pF @ 10V | 
| Envase / estuche: | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) |