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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Detalles del producto

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Descripción: JFET N-canal -25V Bajo ruido

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Las condiciones de los vehículos de transporte
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
28pF @ 0V
Resistencia - RDS (encendido):
15 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Las condiciones de los vehículos de transporte
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
28pF @ 0V
Resistencia - RDS (encendido):
15 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
JFET N-Canal 350 mW Montado de superficie SOT-23-3