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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET N-canal -30V bajo Ciss

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
SMP4221
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.8 mA @ 15 V
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 0,1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
500 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
SMP4221
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.8 mA @ 15 V
El Sr.:
InterFET
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2.5 V @ 0,1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Envase / estuche:
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Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
500 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
JFET N-Canal 350 mW Montado de superficie SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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