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Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

Detalles del producto

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Descripción: JFET N-canal -50V bajo Ciss

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
el número de la empresa
Envase / estuche:
El SOT-23-3
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.3 V @ 10 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Las demás partidas
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
50 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
el número de la empresa
Envase / estuche:
El SOT-23-3
El Sr.:
InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.3 V @ 10 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Las demás partidas
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
50 V
Se aplicará el método de evaluación de los resultados.
JFET N-Canal 350 mW Montado de superficie SOT-23-3