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Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET N-CH 25V TO92

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
J309 Las sustancias
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
12 mA @ 10 V
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
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Tipo de FET:
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Voltaje - avería (V (BR) GSS):
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.
JFET N-Canal 25 V 350 mW a través del agujero TO-92

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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