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Descripción: JFET N-canal -40V bajo Ciss

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	N-canal
estado del producto:	Actividad	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)	Series:	El nombre de la entidad
Envase / estuche:	El SOT-23-3	El Sr.:	InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	1.5 V @ 10 nA	Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Potencia - máximo:	350 mW
Resistencia - RDS (encendido):	700 ohmios	Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	40 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	N-canal
estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	El nombre de la entidad
Envase / estuche:	El SOT-23-3
El Sr.:	InterFET
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	1.5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Potencia - máximo:	350 mW
Resistencia - RDS (encendido):	700 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	40 V