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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en un lugar de ensayo.

Detalles del producto

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
¿Qué es esto?
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-23-6.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 15V
Envase / estuche:
Se trata de la SOT-23-6.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
¿Qué es esto?
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-23-6.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 15V
Envase / estuche:
Se trata de la SOT-23-6.
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en un lugar de ensayo.
JFET 2 Canal N (doble) 60 V 500 mW Montado de superficie SOT-23-6