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Los requisitos de la norma ISO/IEC 17040 deben cumplirse en todos los Estados miembros.
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Detalles del producto

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
Las condiciones de producción
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
El Sr.:
Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Potencia - máximo:
500 mW
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
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25 V
Tipo de montaje:
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5pF @ 10V
Potencia - máximo:
500 mW
Envase / estuche:
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Los requisitos de la norma ISO/IEC 17040 deben cumplirse en todos los Estados miembros.
JFET 2 canal N (doble) 25 V 50 mA 500 mW Montado en superficie 8-SOIC

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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