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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse.

Name: Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse.
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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	P-canal
Estado del producto:	Actividad	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	25 V
Tipo de montaje:	A través del agujero	paquete:	En bruto
Serie:	Las condiciones de los productos	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	10 mA @ 10 V
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92	Dren actual (identificación) - máxima:	10 mA
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 135 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	105 pF @ 10V
Potencia - máximo:	400 mW	Envase / estuche:	En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	25 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	P-canal
Estado del producto:	Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	25 V
Tipo de montaje:	A través del agujero
paquete:	En bruto
Serie:	Las condiciones de los productos
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	10 mA @ 10 V
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92
Dren actual (identificación) - máxima:	10 mA
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	105 pF @ 10V
Potencia - máximo:	400 mW
Envase / estuche:	En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	25 V

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse.

JFET Canal P 25 V 10 mA 400 mW a través del agujero TO-92

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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse.

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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