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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	Canal N 2 (dual)
Estado del producto:	Actividad	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	50 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Se trata de una serie de medidas:	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	500 μA @ 10 V
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC	Envase / estuche:	8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	8pF @ 15V
Potencia - máximo:	300 mW	Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	50 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	Canal N 2 (dual)
Estado del producto:	Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	50 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Se trata de una serie de medidas:
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	500 μA @ 10 V
El Sr.:	Sistemas integrados lineales, Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC
Envase / estuche:	8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	8pF @ 15V
Potencia - máximo:	300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	50 V