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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Detalles del producto

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Descripción: Diodo genético puro 200V 3A axial

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5402
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5402
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 200 V 3A a través del eje del agujero