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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
30 nA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
880 mV @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicarán las disposiciones siguientes:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
14 ns
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
SiGe (Silicio Germanio)
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Envase / estuche:
SOD-128
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 2A (Io)
Número del producto de base:
PMEG200
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
30 nA @ 200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
880 mV @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicarán las disposiciones siguientes:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
14 ns
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
SiGe (Silicio Germanio)
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Envase / estuche:
SOD-128
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 2A (Io)
Número del producto de base:
PMEG200
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo de montaje de superficie de 200 V 3A SOD-128/CFP5