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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad

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Descripción: Diodo de conmutación de montaje de superficie

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	150 mA	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,25 V a 150 mA	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de la SOT-563.	Tiempo de recuperación inverso (trr):	4 años
El Sr.:	Panjit Internacional Inc.	Tecnología:	Estándar
Envase / estuche:	La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Velocidad:	Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:	BAS16	Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 2,5 @ 75 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	150 mA
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,25 V a 150 mA
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de la SOT-563.
Tiempo de recuperación inverso (trr):	4 años
El Sr.:	Panjit Internacional Inc.
Tecnología:	Estándar
Envase / estuche:	La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Velocidad:	Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:	BAS16
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 2,5 @ 75 V