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Descripción: Diodo SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	70 μA @ 650 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 4 A	Paquete:	El tubo
Series:	CoolSiC™+	Capacidad @ Vr, F:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una serie de medidas de seguridad.	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnologías Infineon	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	4a
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	Se trata de un producto de fabricación en el que se utilizan los siguientes componentes:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	70 μA @ 650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 4 A
Paquete:	El tubo
Series:	CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnologías Infineon
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	4a
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Se trata de un producto de fabricación en el que se utilizan los siguientes componentes: