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Detalles del producto

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Descripción: DIODE GP 85V 325MA DFN1006BD-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,25 V a 150 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
3 μs
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
150°C
Envase / estuche:
SOD-882
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
325 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,25 V a 150 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
3 μs
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
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Envase / estuche:
SOD-882
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
325 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
BAS116LSYL
Diodo de 85 V 325 mA montado en la superficie DFN1006BD-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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